隨著如今科技的發(fā)達(dá)，人們對鍍膜的要求越來越高。為了滿足這一需要，不少廠家推出了磁控濺射鍍膜設(shè)備，這種設(shè)備對于改良鍍膜產(chǎn)品非常的有效，其能夠以高速、低溫、能夠濺射在任何材料上，是目前很多企業(yè)都有在使用的一種設(shè)備。
磁控濺射鍍膜設(shè)備的穩(wěn)定性，對所生成的膜均勻性、成膜質(zhì)量、鍍膜速率等方面有很大的影響。磁控濺射鍍膜設(shè)備的濺射種類有很多，按照使用的電源分，能夠分為直流磁控濺射，射頻磁控濺射，中頻磁控濺射等等。
CCZK-SF磁控濺射鍍膜設(shè)備
直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源，通常在300～1000V，特點(diǎn)是濺射速率快，造價低，后期維修保養(yǎng)便宜。但是只能濺射金屬靶材，如果靶材是絕緣體，隨著濺射的深入，靶材會聚集大量的電荷，導(dǎo)致濺射無法繼續(xù)。因此對于金屬靶材通常用直流磁控濺射，由于造價便宜，結(jié)構(gòu)簡單，目前在工業(yè)上應(yīng)用廣泛。
射頻磁控濺射所用的射頻電源的頻率通常是13.56 MHz，可以解決直流磁控濺射不能濺射絕緣靶材的問題。射頻磁控濺射的特點(diǎn)是：絕緣靶材和金屬靶材都能濺射，膜層與基片的附著力強(qiáng)。但是由于結(jié)構(gòu)裝置比較復(fù)雜，射頻電源價格昂貴，維修維護(hù)成本比較高，會對人體產(chǎn)生輻射，并且需要外部的匹配網(wǎng)絡(luò)等因素，不適合應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)。
中頻磁控濺射常用于反應(yīng)濺射，來制備金屬化合物薄膜，在腔體中除了氬氣外，另外加入少量反應(yīng)氣體如：氮?dú)狻⒀鯕獾龋惯@些反應(yīng)氣體的分子與靶材原子一起沉積到基片上，形成金屬化合物薄膜。
以上就是磁控濺射鍍膜設(shè)備按照電源劃分的濺射種類，希望能夠給廣大用戶帶來幫助。
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